正偏是扩散电流大大增加，反偏使漂移电流增加。但是漂移电流是由于少子移动形成的，所以有反向饱和电流！
2：一般低频信号，电阻线的粗细是为了流多少电流，而粗细带来的电阻大小不计，因为铜线本身电阻很小，当然特殊情况例外！
3：mos管是依靠多子电子的一种载流子导电的，与晶体三极管的多子与少子一起参与导电的情况不一样。它是一种自隔离器件，不需要设置晶体三极管中的隔离岛，节省心片面积，适合超大规模电路。它的特点是 压控！即控制端几乎不需要电流，容易集成。
b 用万用表二极管档，p接正，n接负时有数字显示，所以有测量几次，就可以知道是pnp型还是npn型，b端由此可以断定了。然后用万用表的hef档测量放大倍数，如果接对了即能判断结果。
mos管一般情况下，和散热部分相连的是d.确定了d就简单了，在gs加个电，即用万用表二极管档点一下gs，再去量ds就有数字显示了。再如果短路ds，再去量就没有数字。可以确定gs了。
7：电容和电阻的串并联关系相反。电该和电阻相同，不过还有互感的概念，所以还是有所区别的吧？需要求证！
所以，共基放大器，知道共基在后，就知道输出电阻大，将输入电流不衰减的送到输出电阻大的那端。共集，明显是输入电阻大，将输入电阻不衰减的送到输出电阻小的那端。
10：正弦电压的输出平均电压在全桥整流电路中是0.9倍的输入电压有效值，所以输出电流的平均值（等同用万用表测量）是输入电压有效值除以负载电阻后的0.9倍。
11：示波器的两个探头是共地的，双踪的时候要注意，这两个地必须连在一起，尤其是高电压的时候！并不是所有的示波器两个探头都是共地的，有些地是的。
12：mos管的测量方法，一般是gds排列。用万用表的话，先在gs两端加电，即用万用表点一下gs 然后点ds，就能测量出数字来了。这些都是根据它的本身特征来判断的。注意，gs端的电容很小，u=q/c，如受影响，或静电感受，带上小两电荷就可以使u很大，使其烧掉。
13：u盘不能考包含很多小文件的东西，不然后驱动不了，卡住。比如ie文件，这些东西最好压缩，然后考进去。
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