英特尔Xe独立显卡揭秘：架构通吃+最多1000个EU单元

　　英特尔于118月18日正式公布研发中的通用型GPU——Ponte Vecchio，采用7nm工艺、Foveros 3D封装、EMIB封装和全新的Xe GPU架构，支持HBM显存、CXL高速互连等技术，面向HPC高性能计算、AI人工智能等领域，美国能源部旗下的“极光”(Aurora)就用了Xe HPC和10nm可扩展至强打造。

　　1、Xe LP(低功耗)：用于集成核显、入门级独显，典型功耗5-20W，最高可扩展到50W。

　　2、Xe HP(高性能)：用于主流和发烧消费市场、数据中心和AI领域，典型功耗75-250W。

　　英特尔Xe GPU架构是一个非常灵活、扩展性极强的统一架构，针对性地划分成多个微架构，可用于几乎所有计算、图形领域，包括百亿亿次高性能计算、深度学习与训练、云服务、多编辑、工作站、游戏、轻薄笔记本、便携设备等等。

　　英特尔首席架构师Raja Koduri透露，Xe GPU最初只设计LP、HP两个微架构，后来因高性能领域也有很大机遇新增HPC。Raja还声称，Xe HPC可以扩展到多达1000个EU执行单元，每个单元都是全新设计的，FP64双精度浮点计算能力是现在的40倍。

　　Xe HPC架构中的EU单元对外通过XEMF(Xe Memory Fabric)总线连接HBM高带宽显存，集成大容量的一致性缓存“Rambo”。Rambo Cache(兰博缓存)本质上是一种用于连接CPU、GPU及HBM缓存的中介层，基于英特尔EMIB封装技术，能够提供极致的显存带宽和FP64浮点性能，且支持显存/缓存ECC纠错、至强级RAS。

　　封装方面，EMIB用于连接GPU与HBM，Foveros则用于互连Rambo缓存，由多个GPU在同一中介层上共享。EMIB封装和Foveros 3D封装会大大提升带宽效率和密度。

　　英特尔Xe HPC将采用英特尔7nm工艺制造，称新工艺会加入EUV极紫外光刻技术，晶体管密度是10nm的两倍，设计规则复杂度只有四分之一，英特尔还规划了跨节点工艺优化，带来更好的7nm+、7nm++。

　　英特尔已经确认第一款Xe显卡采用10nm工艺，面向主流和发烧游戏市场的产品，2021年拿出7nm工艺、面向数据中心和高性能计算的版本。梦见钱被盗